スイスが米国の中共包囲網に造反

STが中国内でSiCの垂直統合を達成へ、三安光電と合弁企業設立で
小島 郁太郎
2023.06.08

　スイスSTMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）は、SiC（炭化ケイ素）関連の合弁企業を中国重慶に設立する契約を中国の三安光電（Sanan Optoelectronics）と締結した。2023年6月7日（スイス時間）に発表した 。この合弁企業では、三安光電が供給する直径200mmのSiCウエハーを使ってSiC製品を製造する。2025年第4四半期に生産を開始し、2028年にフル稼働することを目標にしている。

　この合弁企業では、ST独自のSiC製造プロセス技術を使い、ST向けのSiC製品のみを製造する。すなわち、STの専用SiCファウンドリーとして稼働し、中国顧客が電気自動車（EV）や産業機器などに使うSiC製品を造る。なお三安光電は同合弁企業へ供給するために、200mmのSiCウエハーの製造施設を新設する。合弁企業の設立費用は、今後5年間の設備投資額である約24億米ドルを含め、総額約32億米ドルと見込む。これらの費用は、STと三安光電の出資に加え、地方自治体の支援や融資によって調達される予定である。

　STの社長兼最高経営責任者（CEO）であるJean-Marc Chery氏によると、新設予定の三安光電の200mm SiCウエハー製造施設、合弁企業による前工程工場、および深センにあるSTの後工程工場を組み合わせることで、STは中国において完全垂直統合型のSiCバリューチェーンを確立できる。同社は「2030年までにSiC製品の売上高を50億米ドル以上にする」という目標を掲げており、設立する合弁企業がこの目標達成に寄与するという。

　三安光電は中国最大のLEDチップメーカーとして広く知られている。最近では、SiCの成長性に着目し、多数の特許を取得するなど、戦略的な動きをしている。特許などの調査／コンサルティング会社であるフランスKnowMade（ノーメイド）は、中国でSiCを製造するには、何らかの形で三安光電と手を組む必要があるだろうという＊。三安光電CEOのSimon Lin氏は、「今回の合弁企業の設立は、SiCファウンドリーとしての当社の目標達成に向けた重要なステップである」と述べた。

　なおSTによれば、今回の合弁企業によるプロジェクトの完了には、規制当局の承認という条件がある。
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/15363/
フランスに続いてスイスが造反しました。

SiCエピウエハーに関連する三安光電の特許は、日米のメーカーが数十年の研究開発（R&D）を必要とするほど難易度が高いのです。
日米が油断している隙に、中共の技術が追いつき始めており、包囲網を切り崩され始めてます。

米国は次世代半導体開発に７兆円、EUは６兆円の予算を組んでます。
日本は１兆数千億円程度なので、追いつかないです^^;

巻き返しなるか日本の半導体産業
2022年11月11日
政府も研究開発拠点の整備費用などとして700億円を補助することを決めたほか、11月8日に閣議決定された補正予算案にも半導体の研究開発や生産の拠点を整備するための費用などとして、およそ1兆3000億円を盛り込みました。
アメリカでは半導体の開発や生産に日本円で7兆5000億円以上を投じることなどを盛り込んだ法律を成立させたほか、▽EU＝ヨーロッパ連合も、官民あわせて日本円で6兆2000億円あまりを投じる方針を示しています。
政府は、半導体産業の強化は経済安全保障の観点からも欠かせないとしていますが、正直、予算規模からしても欧米に見劣りしています。（抜粋）
https://www3.nhk.or.jp/news/special/sakusakukeizai/20221111/539/