トレンチキャパシタ（trench capacitor）

DRAMのメモリセル部に用いられる記憶容量（キャパシタ）構造の一種、シリコン基板表面部に溝（トレンチ）を掘り、その底面と側面壁部に容量絶縁膜を形成し、溝内部を多結晶シリコンで埋め込んだ構造を有する、１M DRAM(dynamic random access memory(記憶単位のメモリセルは一個のトランジスタと一個のキャパシタから構成される。記憶端子のメモリセルを格子状に多数並べたメモリセルアレーに「１」「０」のパターンとして情報が記憶される。各メモリセルへの「１」「０」の書き込みはキャパシタの充電と放電により行われる。読み出しは各メモリセルのキャパシタの累積電荷量を検出する事で行われるが。一度読みだすと情報は失われる破壊読出しなので同一データを再読み込みしなければならない。また、記憶情報はキャパシタの累積電荷がpn接合の微笑リークなどにより徐々に失われる為、一定間隔でデータを書き込むリフレッシュ動作が必要である。dynamic random access memoryは構造が比較的簡単な事から微細加工技術（microfabrication technologyとは多機能、高機能、高性能なICを低コストで実現する為にはICを構成する各種素子、配線系などを小さくして集密度と集積密度を上げなければならない、この為微細なパターン寸法を実現する為の加工技術の事、微細加工技術を用いる事により１個のICチップにより多くの複雑な機能を持たせられ、素子を小型化する事で、動作速度の向上や低電源電圧化による消費電力が低減でき同一機能を有するICのチップサイズが縮小する事で１枚のウェーハーからより多くのチップが得られ結果的にチップコストの低減が図れるからである。微細加工技術には微細なパターン転写の為のリソグラフィ（写真蝕刻技術）やその転写パターンに忠実に各種材料層をエッチングする技術などが含まれる微細加工技術のレベルを示す為、使用できる最小寸法（特徴寸法）を設定基準のレベルを示す為使用できる最小寸法（特徴寸法）を設計基準で規定し何ミクロンルールという）を用いて大記憶容量が実現しやすく、ビット当たりの単価も下げられるのでコンピューターのメインメモリを初め最も数多く使われているメモリ（半導体記憶装置、すなわち情報を記憶し、必要に応じ取り出し利用できる機能をもったIC）メモリは電源が入っている時だけ記憶し続ける不揮発性メモリ（DRAM,SRAM（static random access memory(スタティックRAMとは電源が入った状態では情報を記憶し続け、記憶保持動作（リフレッュ（DRAMではメモリセルのキャパシタ蓄積の有無により「１」「０」の情報を記憶しているがこのキャパシタに接続されたN型拡散層とP型基盤間の微小リークにより保持状態でも徐々に情報が失われてしまう、この為同じ情報を一定期間で繰り返し書く込む動作が必要でこれをリフレッシュという））が不必要で随時書き込みが出来るメモリ。メモリセルはフリップフロップで構成される、高速で使いやすいがDRAMに比べて、メモリセルの素子数（トランジスタ６個、あるいはトランジスタ４個＋抵抗２個が多く価格が高い高速が要求される）)））と記憶を失われない不揮発性メモリROM（read only memory(記憶情報が固定され変更できないメモリで一般にROMと言えばICの製造過程で記憶内容を書き込み固定するマスクROM（mask read only memory(読出し専用ICメモリの一種で情報の書き込みをICの製造中に行うもの、具体的には情報の書き込みをICの製造中に行うもの。具体的にはリソグラフィ工程で書き込むタイプとイオン注入（半導体に各種の不純物を添加する方法の１つ、典型的なイオン注入では導電型不純物、ヒ素（Ａｓ）やリン（Ｐ）やアンチモン（Ｓｂなどのｎ型不純物、あるいばボロン（Ｂ）などのｐ型不純物をイオン注入装置と呼ばれる装置を用いて半導体表面から打ち込み、ｎ型やｐ型の領域を形成する、イオン注入では注入エネルギーにより、不純物の深さ（Rp:projected range）をイオン電流により添加不純物料（ドーズφ）を制御する）工程で書き込むタイプに大別される。用途としては情報内容を固定したメモリとして使われる。マスクROMにはメモリ部のトランジスタを直列に接続配置NAND論理配置しNAND論理を用いた縦積型と、並列接続配置しNOR論理を用いたよ横積型がある（例、ビット線とワード線が縦横に縦がワード線横がビット線、交差する所に（メモリトランジスタそのものは作り込んでおくがドレインをビット線に接続される為のコンタクトは形成されない部分には０、メモリトランジスタのドレイン（drainとは電界トランジスタFETの３端子のうちの１つ、チャネルのキャリアを集める電極、キャリアはソースから供給されチャネルのキャリアを集める電極、キャリアはソースから供給されチャネルを流れてドレインに達する、ｎ型チャネルMOSFETではｐ型半導体基板表面にシリコン酸化膜(SiO2)を形成して金属電極を設けゲート電極の両端部にn+領域を拡散形成してソース及びドレインとする）をビット線に接続するコンタクト（一般的に電気的な接触（接続）あるいはその箇所を意味する半導体（ＩＣ）内では各種配線層とデバイス各部とのコンタクトが多数用いられている。通常コンタクトでは加えた電圧に対し流れる電流が比例するオートミックコンタクト性が認められ、このような性質を有するコンタクトをオートミックコンタクト（配線層と半導体層あるいは配線同志の電流接続部（コンタクト）において電圧、電流特性（ＩーＶ特性）が直線性（オートミック性）を示すコンタクト。半導体（ＩＣ））という）を形成する、このセルには「１」））)）、マスクロムには「コンタクト方式」とイオン注入を用いる「イオン注入方式」がある,NAND型と並行接続したNOR型は動作速度重視の目的で使われる事が多い）EPROM, EEROM フラッシュメモリ)に大別される、メモリの記憶容量をバイナリー情報量として、何ビットメモリとよぶ)から採用され始めた３次元キャパシタの１つ、３次元キャパシタの例として、スタックキャパシタがある