ICの作り方その７８９１０

酸素プラズマを用いて残っているレジストを灰化除去（アッシング）
アッシング（ashing）ICの製造においてパターンをウェーハーに転写する為のリソグラフィー工程でフォトレジストを「塗布ー露光ー現像」しエッチングなどのマスクとして利用した後、不要になったフォトレジストを除去する為酸素プラズマなどで灰化処理し、除去する事

露光（exposure）
ICの製造においてウェーハ表面に流布されたフォトレジストへ回路パターンを転写する為光を照射する事、ないしどの工程、使用する光源により可視光線（g線）紫外線（I線）
エキシマレーザー（KrF ArF,F2）露光や、ｘ線、更に電子線（ＥＢ）、イオンビームなどを用いる方式がある。またｇ線、Ｉ線、エキシマレーザー、ｘ線の様にマスクを通して照射するマスク露光と電子線の様にマスクを通さず、設計から直接パターン描写する直接方式に分ける事も出来る、電子線描画では部分パターンが形成されたアパーチャを用いた部分一括法も用いられている

エッチング(eetching)
蝕刻法の事で、半導体、絶縁物、導電体の各種材料あるいはそれらの膜を除去する事、

ウェット酸化（wet oxidation）
高温の酸化性雰囲気中でシリコン（Si） と酸素（ O2）を反応させシリコン酸化膜（SiO2）を形成する熱酸化法の1種、 ガス状のO2雰囲気を用いたドライ参加に対し基本的にスチームを用いる。

ウェーハーを高温スチーム晒しシャロートレンチ内部のシャロートレンチ内壁のシリコンを熱酸化してシリコン窒化膜を形成します


シランガスと酸素ガスを用いたCVD法によりウェーハー表面上にトレンチ埋込み用の厚い酸化膜を堆積します



CMP（化学的機械研磨）法によりウェーハー表面を研磨し平坦化します