�▲轡螢灰鵐ΕА璽蓮次�SiO2）に
シリコン窒化膜（Si3N4）
解説
シリコンウェーハーを酸などの純水で洗浄する
洗浄後９００度くらいの高温スチームに晒しシリコンと酸素を反応させ２酸化窒素をに成長させる
さらにこの上にシランガス(SiH4)とアンモニアガス(NH3）の気相で化学反応させシリコン窒化膜（Si3H4）を堆積ＣＶＤ（（化学気相成長法（ＣＶＤやプラズマ化学位相相（０.１−１０Ｔrrに減圧したチャンバー内（密封装置）に原料ガスをプラズマ化させて堆積させる方法２５０−４００度）や成長時の圧力の違いにより常圧化学気相長やＢＴＳＧ（シアン化酸化膜（Ｓi O）の中にボロン（Ｂ）とリンを添加したガラス）、NＳＧ（不純物を含まないＳi O２系のガラス））します）
�Ｂ海い謄ΕА璽蓮湿紊縫侫�トレジスト
フォオレジストをウェーハ上に滴下しウェーハーを高速回転させてレジスト薄膜をスピンコーティング（高速回転）します。目合せ露光ではウェーハーをステッパーにセットし、IC回路パターンが焼き付けられているマスク（石栄性の
マスクブランクス表面にＣｒなどで一定の回路が生成されたもの実際の４倍や５倍ねどのものがフォトマスクを通して。紫外線やエキシマレーザー光をウェーハーに照射し縮尺転写するるｘ軸ｙ軸などクリプトンフッ化レーザー（KrF）やArF）を
ログインしてコメントを確認・投稿する