ICの作り方４？

フォトレジスト（感光性樹脂の一種でこれに回路パターンを露光現像しパターン転写するエキシマレーザー（ICの製造工程においてマスクパターン（ステッパーなどを用いてレチクルでガラス基板（ブランクス表面に形成されたクロム（Ｃｒ）などのパターンを４分の１、５分の１、１０分の１などに縮小投影投影する事で実パターンを転写する。ＫｒＦやＡｒＦなどを使ったりするフッ化クリプトンエキシマレーザー（ＫｒＦ波長２４８㎚、）やフッ化アルゴンエキシマレーザー（ＡｒＦ１９３nm）フッ素エキシマレーザー（Ｆ２　１５７んｍ）ＫｒＦは既に量産ＡｒＦは開発の最終段階Ｆ２は開発量産化に向けて））を１５０度程度の温度で軽く焼き固めた後、プラズマガス（自分の知っているプラズマはアーク炉アーク放電（水銀ランプなど必要なものはアルゴンガス（アルゴンＡｒ雰囲気ガスとして用いられる、ポピュラーな不活化ガスである窒素など、シリコンの窒化など（グロー放電を利用して、アルゴンをイオン化し電界で加速した高エネルギーアルゴンイオンＡｒ＋でターゲットを叩き（スパッタ）その反発で飛び出してくるターゲット材原子をウェーハに付着させ成膜する、また磁場を加える事で成膜効果を上げたマグネトロンスパッタリングやステップ
ガベレッジを改善する為ウェーハーとターゲットの距離を長くとったロングスパッタリング、ウェーハーとターゲットの間にコリメーターと呼ばれる格子状の遮蔽物を置いたコリメートスパッタリングもあるさらにチャンバーの中にアルゴンＡｒ２以外に窒素Ｎ２ガスを導入しスパッタリングの過程チタンTiと窒素Nを反応させる事で窒化チタン(TiN）の成膜を行うような反応性スパッタリングもある））中でレジストをマスクして、シリコン窒化膜をマスクにして、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜を順次ドライエッチングし除去します