半導体

Pチャネル側にレジストを覆って、シリコン基板表面にリンをイオン注入し、低濃度の浅いN領域を形成する、この時ゲート電極がイオン注入（ion implantation,半導体に各種の不純物を添加する方法の１つ、典型的なイオン注入では導電型不純物、ヒ素（As）リン（P）やアンチモン(Sb)などのｎ型不純物、あるいはボロン（Ｂ）などのｐ型不純物をイオン注入機と呼ばれる装置を用いて半導体表面から打ち込み、ｎ型やｐ型の領域を形成する、拡散法による不純物添加に比べイオン注入法はフォトレジストをマスクに出来ること、添加不純物の量や深さの正確なコントロールが可能になる事、不純物の横方向広がりを抑えられる事などの特長を有する不純添加法と広く用いられている。イオン注入では注入エネルギーにより不純物分布の添加（Ｒｐ、projected range）を、イオン電流により添加不純物量（ドーズ量＝dosage rangeφ）を制御する、）のマスクの役割を果たすので
N型領域はゲート電極と自己整合性（セルフアライン（self align(ICの素子や配線における相互の位置関係が、目合わせ（alignment）｛IC製造の露光工程でマスクパターンをウェーハー上に転写する場合既にウェーハー上の形成されているパターンとの位置合わせを行うこと、アライメントとも呼ぶ、この際特殊なマークを用いて光学的に合わせるが、このマークを目合わせマーク、又は目合わせパターンと呼ぶ目合わせはアライメントとも言われる｝と呼ばれる位置合わせの為の特別な操作を行わくても、プロセス上で自動的に決まるようにする事、MOSトランジスタのシリコンゲート電極に対するソース領域やドレイン領域、あるいはコンタクトの形成する)））に形成されます。
ボロン（ホウ素イオン注入）Nイオンを注入し、浅いP型領域をセルフアラインに形成する。
レジストを剥離しウェーハーを洗浄した後、全面的に酸化膜を堆積します
異方性の強いドライエッチング（一方向にだけ進行するドライエッチング法）により、
ゲート電極の両端部にのみ酸化膜（サイドウォール＝側壁酸化膜）を残し酸化膜を除去します。
これをドライエッチングと言います