InN（窒化インジウム）

詳細 2015年12月15日 18:43更新: GaN系のコミュはあるのになんでInNはないんだっ！？
と思ったのでつくっちゃいました。

InN
・バンドギャップが0.7eV程度
・InGaNやInAlN混晶にすることで光ファイバーの低損失領域の1.3μm,1.55μm帯の発光デバイスが作製可能
・巨大バンドオフセットがとれ高温でも安定動作
・超高速、省電力電子デバイスへの応用
・スピントロニクス
・超伝導特性

このように応用上魅力的であるにも関わらず、その結晶成長の困難さから、未だに謎も多い半導体InN（インジウムナイトライド）

そんなInNおよびその混晶の研究してる人、研究してた人、またそんなInNに興味をもっちゃった人のコミュニティです☆

InN系半導体に関する情報を交換していけたらいいなと思っています。よろしくお願いしますm(＿)m

キーワード
InN InGaN InAlN InGaAlN Nitride(窒化物半導体)　窒化　Cubic(立方晶)　Hexagonal(六方晶)　MBE(分子線エピタキシー)　MOCVD,MOVPE(有機金属気相成長法)　スパッタ　RF-プラズマ　低温バッファ　MQW(多重量子井戸) ナノコラム　QD(量子ドット）　赤外　赤色　高効率太陽電池　LD　LED　sapphire(サファイア)　SiC(炭化ケイ素)　etc