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すっとこどっこい☆*:・°★のトピック
半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽ工学
晶を形成したさいのｴﾈﾙｷﾞｰ帯について説明せよ･･･ﾊﾞﾝﾄﾞ構造 (3)R=ﾛｰl/S ﾄﾞﾘﾌﾄ移動度 ﾐｭｰ[m^2/vs] ﾄﾞﾘﾌﾄ速度 v=ﾐｭｰE ｷｬﾘｱ濃度の求め方
- 2008年01月21日 13:47
- 6人が参加中
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晶を形成したさいのｴﾈﾙｷﾞｰ帯について説明せよ･･･ﾊﾞﾝﾄﾞ構造 (3)R=ﾛｰl/S ﾄﾞﾘﾌﾄ移動度 ﾐｭｰ[m^2/vs] ﾄﾞﾘﾌﾄ速度 v=ﾐｭｰE ｷｬﾘｱ濃度の求め方
