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InN(窒化インジウム)

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コミュ内全体

詳細 2015年12月15日 18:43更新

GaN系のコミュはあるのになんでInNはないんだっ!?
と思ったのでつくっちゃいました。

InN
・バンドギャップが0.7eV程度
・InGaNやInAlN混晶にすることで光ファイバーの低損失領域の1.3μm,1.55μm帯の発光デバイスが作製可能
・巨大バンドオフセットがとれ高温でも安定動作
・超高速、省電力電子デバイスへの応用
・スピントロニクス
・超伝導特性

このように応用上魅力的であるにも関わらず、その結晶成長の困難さから、未だに謎も多い半導体InN(インジウムナイトライド)

そんなInNおよびその混晶の研究してる人、研究してた人、またそんなInNに興味をもっちゃった人のコミュニティです☆

InN系半導体に関する情報を交換していけたらいいなと思っています。よろしくお願いしますm(_)m

キーワード
InN InGaN InAlN InGaAlN Nitride(窒化物半導体) 窒化 Cubic(立方晶) Hexagonal(六方晶) MBE(分子線エピタキシー) MOCVD,MOVPE(有機金属気相成長法) スパッタ RF-プラズマ 低温バッファ MQW(多重量子井戸) ナノコラム QD(量子ドット) 赤外 赤色 高効率太陽電池 LD LED sapphire(サファイア) SiC(炭化ケイ素) etc

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参加メンバー 28人

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開設日
2006年10月14日

3788日間運営

カテゴリ
学問、研究
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